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参数资料
| 型号： | ZXMN6A08KTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 4.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 459pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 2.12W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN6A08KTCDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN6A08K
Thermal Characteristics
R DS(on)
10 Limit
1
R DS(on)
10 Limit
1
DC
1s
DC
1s
100m
100ms
10ms
100m
100ms
10ms
10m
T amb =25°C
25mm x 25mm
1oz FR4
1ms
100μs
10m
T amb =25°C
50mm x 50mm
2oz FR4
1ms
100μs
1
10
1
10
60
V DS Drain-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
35
V DS Drain-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
50
40
T amb =25°C
25mm x 25mm
1oz FR4
D=0.5
30
25
20
T amb =25°C
50mm x 50mm
2oz FR4
D=0.5
30
15
20
10
D=0.2
D=0.1
D=0.05
10
5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
Single Pulse
Single Pulse
0
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
0
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
4.5
100
10
Single Pulse
T amb =25°C
50mm x 50mm
2oz FR4
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
50mm x 50mm
2oz FR4
25mm x 25mm
1oz FR4
1.5
25mm x 25mm
1oz FR4
1.0
0.5
1
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
0.0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
Pulse Width (s)
Pulse Power Dissipation
Temperature (°C)
Derating Curve
ZXMN6A08K
Document Revision: 2
3 of 8
www.diodes.com
July 2009
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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