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参数资料
| 型号： | ZXMN6A08KTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 4.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 459pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 2.12W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN6A08KTCDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN6A08K
Typical Characteristics - continued
10
600
8
I D = 1.4A
400
200
V GS = 0V
f = 1MHz
C ISS
C OSS
C RSS
6
4
V DS = 15V
2
0
1 10
V DS - Drain - Source Voltage (V)
0
0
1
2 3 4
Q - Charge (nC)
5
6
Capacitance v Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Test Circuits
Current
Q G
regulator
12V
5 0k
Same as
D.U.T
V G
Q GS
Q GD
Charge
I G
V GS
D.U.T
V DS
I D
V DS
Basic gate charge waveform
Gate charge test circuit
90%
10%
V GS
R G
V GS
R D
V DS
V DD
t d(on)
t (on)
t r
t d(off)
t (on)
t r
Switching time waveforms
Switching time test circuit
ZXMN6A08K
Document Revision: 2
6 of 8
www.diodes.com
July 2009
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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