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参数资料
| 型号： | BX805555080A |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 64-BIT, MICROPROCESSOR, BGA771 |
| 封装： | LGA-771 |
| 文件页数： | 85/104页 |
| 文件大小： | 3690K |
| 代理商： | BX805555080A |
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Dual-Core Intel Xeon Processor 5000 Series Datasheet
81
Thermal Specifications
.
Notes:
1.
Intel does not support or recommend operation of the thermal diode under reverse bias.
2.
3.
Characterized across a temperature range of 50-80°C.
4.
Not 100% tested. Specified by design characterization.
5.
The ideality factor, nQ, represents the deviation from ideal transistor model behavior as exemplified by the
equation for the collector current: IC = IS * (eqVBE/nQkT - 1)
Where IS = saturation current, q = electronic charge, VBE = voltage across the transistor based emitter
junction (same nodes as VD ), k = Boltzmann Constant, and T = absolute temperature (Kelvin).
6.
Notes:
1.
See the Dual-Core Intel Xeon Processor 5000 Series Thermal/Mechanical Design Guidelines for more
information on how to use the Tdiode_Offset, Tdiode_Base and ntrim parameters for fan speed control.
§
Table 6-10. Thermal Diode Interface
Land Name
Land Number
Description
THERMDA
AL1
diode anode
THERMDC
AK1
diode cathode
THERMDA2
AJ7
diode anode
THERMDC2
AH7
diode cathode
Table 6-11. Thermal Diode Parameters using Transistor Model
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
Notes
IFW
Forward Bias Current
5
-
200
A
1, 2
IE
Emitter Current
5
-
200
A
nQ
Transistor Ideality
0.997
1.001
1.005
-
3, 4, 5
Beta
-
0.391
-
0.760
-
3, 4
RT
Series Resistance
2.79
4.52
6.24
Ω
3, 6
Table 6-12. Parameters for Tdiode Correction Factor
Symbol
Parameter
Typ
Unit
Notes
ntrim
Diode Ideality used to calculate
Tdiode_Offset
1.008
1
Tdiode_Base
0
°C
1
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