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参数资料
| 型号： | CPH5871-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DIODE SCHOTTKY CPH5 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 52 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 430pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74A，SOT-753 |
| 供应商设备封装： | 5-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CPH5871
4.0
3.5
3.0
ID -- VDS
[MOSFET]
140
120
100
0.5A
RDS(on) -- VGS
ID=1A
2A
[MOSFET]
Ta=25°C
2.5
80
2.0
60
1.5
1.0
0.5
1.5V
40
20
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
VGS=1.2V
0.8 0.9
1.0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
140
RDS(on) -- Ta [MOSFET]
IT14371
7
5
| y fs | -- ID [MOSFET]
IT14372
VDS=10V
120
3
=0.5
=1.8
1.0A
5V, D
=2.0
=2. A
V, I D
=4.5
5 °
=-
° C
100
80
60
40
VGS
VGS
VGS
V, I D
I =
A
2
1.0
7
5
3
Ta
-2
25
C
75
° C
20
2
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.1
0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7
5
3
2
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT14373
[MOSFET]
VGS=0V
5
3
2
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT14348
[MOSFET]
VDD=15V
VGS=4.5V
1.0
100
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
7
5
3
2
10
7
5
3
td(off)
tf
td(on)
tr
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
2
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
1000
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT14349
Ciss, Coss, Crss -- VDS [MOSFET]
Ciss
f=1MHz
4.5
4.0
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
IT14350
[MOSFET]
VDS=15V
ID=3.5A
3
2
3.5
3.0
2.5
100
7
5
3
2
Coss
Crss
2.0
1.5
1.0
0.5
10
0
5
10
15
20
25
30
0
0
1
2
3
4
5
6
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14351
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT14374
No. A1401-3/7
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