参数资料
型号: CPH5871-TL-H
厂商: ON Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH DIODE SCHOTTKY CPH5
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 52 毫欧 @ 2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 430pF @ 10V
功率 - 最大: 900mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-74A,SOT-753
供应商设备封装: 5-CPH
包装: 带卷 (TR)
CPH5871
Embossed Taping Speci ? cation
CPH5871-TL-H
No. A1401-5/7
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PDF描述
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参数描述
CPH5871-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.5A CPH5 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式) 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):52 毫欧 @ 2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):430pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 供应商器件封装:5-CPH 标准包装:3,000
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CPH5901G-TL-E 功能描述:JFET NCH J-FET+BIP NPN TR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel