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参数资料
| 型号： | DMN62D0LFB-7B |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 100mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.45nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 32pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 470mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-UFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-X1DFN1006 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN62D0LFB-7BDIDKR |
DMN62D0LFB
I D GS =2.0V
0.6
0.5
I D (A) @ V GS =2.5V
(A) @ V
1
I D GS =4.0V
I D GS =1.8V
0.4
(A) @ V
(A) @ V
0.1
I D GS =3.0V
(A) @ V
0.3
I D (A) @ V GS =4.5V
0.2
0.1
I D (A) @ V GS =1.5V
0.01
0.0
0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
0.001
0
0.5 1 1.5
2
3
V DS , DRAIN -SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
R DS(ON) ( Ω ) Ave @ V G =1.8V
10
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
V GS = 5.0V
2.5
2
Ave R DS(ON) ( Ω ) @ 125 ° C
Ave R DS(ON) ( Ω ) @ 150 ° C
1.5
1
R DS(ON) ( Ω ) Ave @ V G =2.5V
R DS(ON) ( Ω ) Ave @ V G =4.5V
1
Ave R DS(ON) ( Ω ) @ 85 ° C
Ave R DS(ON) ( Ω ) @ 25 ° C
Ave R DS(ON) ( Ω ) @ -55 ° C
0.5
0
0
0.1 0.2 0.3
0.4
0.1
0
0.1 0.2 0.3
0.4
3
I D , DRAIN SOURCE CURRENT
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.6
I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
1.4
2.5
1.2
2
1
1.5
1
0.5
0.8
0.6
0.4
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0.2
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 6 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
DMN62D0LFB
Document number: DS35409 Rev. 2 - 2
3 of 6
www.diodes.com
October 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN62D0SFD-7 | MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN |
| DMN65D8LDW-7 | MOSF N CH DUAL 60V 180MA SOT363 |
| DMN65D8LFB-7B | MOSF N CH 60V 260MA X1-DFN1006-3 |
| DMN65D8LW-7 | MOSFET N CH 60V 300MA SOT323 |
| DMN66D0LDW-7 | MOSFET N-CH DUAL 115MA SOT-363 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN62D0SFD-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT MOSFET BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DMN62D1SFB-7B | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN63D0LT-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 V-100V SOT523 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN63D8LDW-13 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSF N CH DL 30V 220MA SOT363 |
| DMN63D8LDW-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 3K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH DL 30V 220MA SOT363 |
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