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参数资料
| 型号： | DMN62D0LFB-7B |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 100mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.45nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 32pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 470mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-UFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-X1DFN1006 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN62D0LFB-7BDIDKR |
DMN62D0LFB
1
0.1
0.01
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0.001
0.1
0.3 0.5 0.7 0.9
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Diodes Forward Voltage vs. Current
1.1
0
0
5 10 15
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 8 Typical Junction Capacitance
20
10
1
V DS D =250mA
=10V, I
8
0.1
6
4
0.01
2
0
0
0.2
0.4
0.6 0.8 1
1.2
0.001
0.1
1 10
100
Q G (nC)
Fig. 9 Gate Charge Characteristics
1
r(t) @ D=0.5
r(t) @ D=0.3
r(t) @ D=0.9
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 SOA, Safe Operation Area
0.1
r(t) @ D=0.1
r(t) @ D=0.7
r(t) @ D=0.05
r(t) @ D=0.02
0.01
r(t) @ D=0.01
0.001
r(t) @ D=0.005
r(t) @ D=Single Pulse
R θ JA (t)=r(t) * R θ JA
R θ JA =273 ° C/W
Duty Cycle, D=t1 / t2
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t1, PULSE DURATION TIME (sec)
Fig. 11 Transient Thermal Resistance
DMN62D0LFB
Document number: DS35409 Rev. 2 - 2
4 of 6
www.diodes.com
October 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN62D0SFD-7 | MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN |
| DMN65D8LDW-7 | MOSF N CH DUAL 60V 180MA SOT363 |
| DMN65D8LFB-7B | MOSF N CH 60V 260MA X1-DFN1006-3 |
| DMN65D8LW-7 | MOSFET N CH 60V 300MA SOT323 |
| DMN66D0LDW-7 | MOSFET N-CH DUAL 115MA SOT-363 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN62D0SFD-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT MOSFET BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DMN62D1SFB-7B | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN63D0LT-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 V-100V SOT523 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN63D8LDW-13 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSF N CH DL 30V 220MA SOT363 |
| DMN63D8LDW-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 3K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH DL 30V 220MA SOT363 |
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