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参数资料
| 型号： | DMN62D0SFD-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 540mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.87nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 30.2pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 430mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-UDFN |
| 供应商设备封装： | 3-X1DFN1212 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN62D0SFD-7DIDKR |
DMN62D0SFD
7
60
6
50
f = 1MHz
5
40
4
3
30
20
C iss
2
I D = 300mA
1
I D = 150mA
10
C oss
0
0
4 8 12 16 20
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT
Fig. 7 Typical On-Resistance vs. Drain Current
0
0
C rss
5 10 15 20 25 30 35
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 8 Typical Junction Capacitance
40
10
R DS(on)
8
V DS = 10V,
I D = 250m A
Limited
DC
P W = 10s
6
4
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 1ms
P W = 100μs
P W = 10μ s
2
0
0.1
1
10
100
10
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 9 Gate Charge
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 SOA, Safe Operation Area
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.001
Single Pulse
R θ JA = 261 ° C/W
R θ JA (t) = R θ JA * r (t)
T J -T A = P * R θ JA(t)
0.01 0.1 1 10 100 1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (sec)
Fig. 11 Single Pulse Maximum Power Dissipation
DMN62D0SFD
Document number: DS35473 Rev. 3 - 2
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www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN65D8LDW-7 | MOSF N CH DUAL 60V 180MA SOT363 |
| DMN65D8LFB-7B | MOSF N CH 60V 260MA X1-DFN1006-3 |
| DMN65D8LW-7 | MOSFET N CH 60V 300MA SOT323 |
| DMN66D0LDW-7 | MOSFET N-CH DUAL 115MA SOT-363 |
| DMN66D0LT-7 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN62D1SFB-7B | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN63D0LT-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 V-100V SOT523 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN63D8LDW-13 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSF N CH DL 30V 220MA SOT363 |
| DMN63D8LDW-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 3K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH DL 30V 220MA SOT363 |
| DMN63D8LV-7 | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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