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参数资料
| 型号： | DMN62D0SFD-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 540mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.87nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 30.2pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 430mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-UDFN |
| 供应商设备封装： | 3-X1DFN1212 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN62D0SFD-7DIDKR |
DMN62D0SFD
1
0.1
D = 0.9
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
0.01
D = 0.01
D = 0.005
R θ JA(t) = r (t) * R θ JA
R θ JA = 261 ° C/W
Duty Cycle, D = t1/t2
D = Single Pulse
0.001
0.000001 0.00001
0.0001
0.001 0.01 0.1 1
10
100
1,000
t1, PULSE DURATION TIME (sec)
Fig. 12 Transient Thermal Resistance
Package Outline Dimensions
A
A3
X1-DFN1212-3
A1
Dim Min Max Typ
D
A
0.47 0.53 0.50
e
A1
A3
0
-
0.05 0.02
- 0.13
b
b1
0.27 0.37 0.32
0.17 0.27 0.22
E
b1
(2x)
D
E
e
L
1.15 1.25 1.20
1.15 1.25 1.20
- - 0.80
0.25 0.35 0.30
Suggested Pad Layout
L
b
X
All Dimensions in mm
Y
Dimensions
C
X
Value (in mm)
0.80
0.42
Y2
Y1
(2x)
X1
(2x)
X1
Y
Y1
Y2
0.32
0.50
0.50
1.50
C
DMN62D0SFD
Document number: DS35473 Rev. 3 - 2
5 of 6
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN65D8LDW-7 | MOSF N CH DUAL 60V 180MA SOT363 |
| DMN65D8LFB-7B | MOSF N CH 60V 260MA X1-DFN1006-3 |
| DMN65D8LW-7 | MOSFET N CH 60V 300MA SOT323 |
| DMN66D0LDW-7 | MOSFET N-CH DUAL 115MA SOT-363 |
| DMN66D0LT-7 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN62D1SFB-7B | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN63D0LT-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 V-100V SOT523 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN63D8LDW-13 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSF N CH DL 30V 220MA SOT363 |
| DMN63D8LDW-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 3K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH DL 30V 220MA SOT363 |
| DMN63D8LV-7 | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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