EPC2015CENGR

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型号
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封装
批号
价格
说明
操作

EPC2015CENGR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
17500
EPC
带卷（TR）
1521+
-
全新原装现货

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功能描述
TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
GaNFET N 通道，氮化镓
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
36A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
4 毫欧 @ 33A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 9mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
8.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1000pF @ 20V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
模具
供应商器件封装
模具剖面（11 焊条）
标准包装
1

EPC2015CENGR 技术参数

EPC2015C 功能描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 毫欧 @ 33A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.7nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1000pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2015 功能描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 毫欧 @ 33A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具剖面（11 焊条）标准包装:1 EPC2014C 功能描述:TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 10A， 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:300pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具剖面（5 焊条）标准包装:1 EPC2014 功能描述:TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 5A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:325pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具剖面（5 焊条）标准包装:1 EPC2012CENGR 功能描述:TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 3A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:100pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具剖面（4 焊条）标准包装:1 EPC2021ENG EPC2021ENGR EPC2022 EPC2022ENGRT EPC2023 EPC2023ENG EPC2023ENGR EPC2024 EPC2024ENG EPC2024ENGR EPC2025 EPC2025ENGR EPC2029 EPC2029ENGR EPC2029ENGRT EPC2030 EPC2030ENGR EPC2030ENGRT