EPC2019ENG

配单专家企业名单

型号
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封装
批号
价格
说明
操作

EPC2019ENG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2070
EPC
剪切带（CT
1521+
-
全新原装现货

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功能描述
TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包装
剪切带（CT）
零件状态
停产
FET 类型
GaNFET N 通道，氮化镓
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8.5A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
50 毫欧 @ 7A、5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
2.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
270pF @ 100V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
模具
供应商器件封装
模具
标准包装
1

EPC2019ENG 技术参数

EPC2019 功能描述:TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 7A、5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:270pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2018 功能描述:TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 6A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:540pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2016C 功能描述:TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 11A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:420pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2016 功能描述:TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 11A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.2nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:520pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2015CENGR 功能描述:TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 毫欧 @ 33A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.7nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1000pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具剖面（11 焊条）标准包装:1 EPC2023ENG EPC2023ENGR EPC2024 EPC2024ENG EPC2024ENGR EPC2025 EPC2025ENGR EPC2029 EPC2029ENGR EPC2029ENGRT EPC2030 EPC2030ENGR EPC2030ENGRT EPC2031 EPC2031ENGR EPC2031ENGRT EPC2032 EPC2032ENGR