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EPC2020ENG

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
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  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
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  • EPC2020ENG
    EPC2020ENG

    EPC2020ENG

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • EPC

  • 模具

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • EPC2020ENGR
    EPC2020ENGR

    EPC2020ENGR

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • EPC2020ENG
    EPC2020ENG

    EPC2020ENG

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 2900

  • EPC

  • 托盘

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • EPC2020ENG
    EPC2020ENG

    EPC2020ENG

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

  • 280

  • EPC

  • 模具

  • 17+

  • -
  • 原装正品,授权分销商现货库存,价优,货期...

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EPC2020ENG PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 包装
  • 托盘
  • 零件状态
  • 无货
  • FET 类型
  • GaNFET N 通道,氮化镓
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 60V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 60A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 2.2 毫欧 @ 31A,5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.5V @ 16mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 16nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 1800pF @ 30V
  • 功率 - 最大值
  • -
  • 工作温度
  • -40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 模具
  • 供应商器件封装
  • 模具
  • 标准包装
  • 10
EPC2020ENG 技术参数
  • EPC2020 功能描述:TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):90A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.2 毫欧 @ 31A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 16mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1780pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:1 EPC2019ENG 功能描述:TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 7A、5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):270pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:1 EPC2019 功能描述:TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 7A、5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):270pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:1 EPC2018 功能描述:TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 6A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):540pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:1 EPC2016C 功能描述:TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 11A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):420pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:1 EPC2024 EPC2024ENG EPC2024ENGR EPC2025 EPC2025ENGR EPC2029 EPC2029ENGR EPC2029ENGRT EPC2030 EPC2030ENGR EPC2030ENGRT EPC2031 EPC2031ENGR EPC2031ENGRT EPC2032 EPC2032ENGR EPC2032ENGRT EPC2033
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