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参数资料
| 型号： | FDFMA2P853 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6 |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 435pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDFMA2P853DKR FDFMA2P853DKR-ND FDFMA2P853FSDKR |
Electrical Characteristics T A = 25°C unless otherwise noted
Notes:
1. R JA is determined with the device mounted on a 1 in 2 oz. copper pad on a 1.5 x 1.5 in. board of FR-4 material. R JC is guaranteed by
design while R JA is determined by the user's board design.
(a) MOSFET R JA = 86°C/W when mounted on a 1 in 2 pad of 2 oz copper, 1.5" x 1.5" x 0.062" thick PCB
(b) MOSFET R JA = 173°C/W when mounted on a minimum pad of 2 oz copper
(c) Schottky R JA = 86°C/W when mounted on a 1 in 2 pad of 2 oz copper, 1.5" x 1.5" x 0.062" thick PCB
(d) Schottky R JA = 140°C/W when mounted on a minimum pad of 2 oz copper
a) 86 o C/W
when
mounted
on a 1in 2
pad of 2 oz
copper
b) 173 o C/W
when
mounted on
a minimum
pad of
2 oz copper
c) 86 o C/W
when
mounted
on a 1in 2
pad of 2 oz
copper
d) 140 o C/W
when
mounted on
a minimum
pad of
2 oz copper
Scale 1: 1 on letter size paper
2. Pulse Test: Pulse Width < 300 s, Duty Cycle < 2.0%
3
FDFMA2P853 Rev. D 2 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDFMA2P857_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode .20V, .3.0A, 120mヘ |
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