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参数资料
| 型号： | FDFMA3N109 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 123 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 220pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 650mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDFMA3N109DKR FDFMA3N109DKR-ND FDFMA3N109FSDKR |
Typical Characteristics
10
1.8
8
V GS = 4.5V
2.7V
2.5V
1.6
V GS = 2.0V
6
3.5V
2.9V
2.0V
1.4
4
1.2
2.5V
2.7V
2.9V
3.5V
4.0V
4.5V
2
1.5V
1
0
0
0.5
1 1.5 2
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
2.5
3
0.8
0
2
4 6
I D , DRAIN CURRENT (A)
8
10
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
T A = 125 C
1.8
1.6
1.4
1.2
I D = 2.9A
V GS = 4.5V
0.24
0.2
0.16
o
I D = 1.45A
0.12
1
T A = 25 C
0.8
0.08
o
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
0.6
-50
-25
o
125
150
0.04
0
2 4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
10
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
T A = -55 C
125 C
8
V DS = 5V
o
o
10
V GS = 0V
6
25 o C
1
0.1
T A = 125 C
4
2
0.01
0.001
o
25 o C
-55 o C
0
0.5
1
1.5 2 2.5
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
3
0.0001
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.6
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDFMA3N109 Rev B 2
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PDF描述 |
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参数描述 |
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