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参数资料
| 型号： | FDFMA3N109 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 123 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 220pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 650mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDFMA3N109DKR FDFMA3N109DKR-ND FDFMA3N109FSDKR |
Typical Characteristics
10
8
6
I D = 2.9A
V DS = 10V
15V
20V
300
250
200
150
C iss
f = 1MHz
V GS = 0 V
4
2
100
50
C rss
C oss
0
0
1
2 3 4
Q g , GATE CHARGE (nC)
5
6
0
0
5
10 15 20 25
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
30
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
10
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.1
T J = 125 C
1
0.01
o
T J = 125 C
T J = 25 C
T J = 100 C
0.1
o
o
0.001
o
0.0001
T J = 25 C
0.01
0.00001
o
0.001
0
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5
V F , FORWARD VOLTAGE (V)
0.6
0.7
0.8
0.000001
0
5
10 15 20
V R , REVERSE VOLTAGE (V)
25
30
Figure 9. Schottky Diode Forward Voltage.
1
D = 0.5
Figure 10. Schottky Diode Reverse Current.
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA =193°C/W
0.2
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDFMA3N109 Rev B 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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