参数资料
型号: FDFMJ2P023Z
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP
产品变化通告: Product Discontinuation 27/Feb/2012
标准包装: 3,000
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 112 毫欧 @ 2.9A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 400pF @ 10V
功率 - 最大: 700mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 6-MLP
包装: 带卷 (TR)
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
100
SINGLE PULSE
R θ JA = 182 o C/W
T A = 25 o C
10
1
0.5
V GS = -4.5V
10
10
10
10
10
10
10
10
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 13. Single Pulse Maximum Power Dissipation
2
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
P DM
t 1
t 2
R θ JA = 182 C/W
0.01
SINGLE PULSE
o
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
10
10
10
10
0.005
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 14. Transient Thermal Response Curve
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDFM2P023Z Rev.B
6
www.fairchildsemi.com
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