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参数资料
| 型号： | FDG8842CZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V/-25V SC70-6 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SC70-6 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 750mA，410mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 750mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.44nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 120pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDG8842CZDKR |
Electrical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
Δ BV DS S
Δ T J
I DSS
I GSS
Drain to Source Breakdown
Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
I D = 250 μ A, V GS = 0V
I D = –250 μ A, V GS = 0V
I D = 250 μ A, referenced to 25°C
I D = –250 μ A, referenced to 25°C
V DS = 24V, V GS = 0V
V DS = –20V, V GS = 0V
V GS = ±12V, V DS = 0V
V GS = –8V, V DS = 0V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
30
–25
25
–21
1
–1
±10
–100
V
mV/° C
μ A
μ A
nA
On Characteristics
V GS(th)
Δ V GS(th )
Δ T J
r DS(on)
g FS
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
Static Drain to Source On
Resistance
Forward Transconductance
V GS = V DS , I D = 250 μ A
V GS = V DS , I D = –250 μ A
I D = 250 μ A, referenced to 25°C
I D = –250 μ A, referenced to 25°C
V GS = 4.5V, I D = 0.75A
V GS = 2.7V, I D = 0.67A
V GS = 4.5V, I D = 0.75A ,T J = 125°C
V GS = –4.5V, I D = –0.41A
V GS = –2.7V, I D = –0.25A
V GS = –4.5V, I D = –0.41A ,T J = 125°C
V DS = 5V, I D = 0.75A
V DS = –5V, I D = –0.41A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
0.65
–0.65
1.0
–0.8
–3.0
1.8
0.25
0.29
0.36
0.87
1.20
1.22
3
8
1.5
–1.5
0.4
0.5
0.6
1.1
1.5
1.9
V
mV/°C
Ω
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q1
V DS = 10V, V GS = 0V, f= 1MHZ
Q2
V DS = –10V, V GS = 0V, f= 1MHZ
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
90
70
20
30
15
15
120
100
30
40
25
25
pF
pF
pF
Switching Characteristics (note 2)
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain “Miller” Charge
Q1
V DD = 5V, I D = 0.5A,
V GS = 4.5V,R GEN = 6 Ω
Q2
V DD = –5V, I D = –0.5A,
V GS = –4.5V,R GEN = 6 Ω
Q1
V GS =4.5V, V DD = 5V, I D = 0.75A
Q2
V GS = –4.5V, V DD = –5V, I D = –0.41A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
4
6
1
16
9
35
1
40
1.03
1.20
0.29
0.31
0.17
0.22
10
12
10
29
18
56
10
64
1.44
1.68
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDG8842CZ Rev.B
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG8850NZ | MOSFET DUAL N-CH 30V SC70-6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDG910D | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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