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参数资料
| 型号： | FDG8842CZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V/-25V SC70-6 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SC70-6 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 750mA，410mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 750mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.44nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 120pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDG8842CZDKR |
Typical Characteristics (Q1 N-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
5
4
3
ID = 0.22A
V DD = 5V
V DD = 10V
200
100
C iss
C oss
2
1
V DD = 15V
10
f = 1MHz
C rss
V GS = 0V
0
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
1.4
1
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
MI
4
1
r DS
(o
n)
LI
T
ED
100 μ s
50
10
SINGLE PULSE
R θ JA = 415 O C/W
T A = 25 O C
1ms
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
10ms
100ms
1
0.01
R θ JA = 415 O C/W
T A = 25 O C
1s
DC
0.005
0.1
1
10
100
0.1
0.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
1
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
P DM
R θ JA = 415 C/W
0.1
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
t 1
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
o
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 11.
Transient Thermal Response Curve
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDG8842CZ Rev.B
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG8850NZ | MOSFET DUAL N-CH 30V SC70-6 |
| FDH038AN08A1 | MOSFET N-CH 75V 80A TO-247 |
| FDH055N15A | MOSFET N-CH 150V TO-247-3 |
| FDH3632 | MOSFET N-CH 100V 80A TO-247 |
| FDH44N50 | MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG8850NZ | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG901 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Slew Rate Control Driver IC for P-Channel MOSFETs |
| FDG901D | 功能描述:开关变换器、稳压器与控制器 Control Driver IC P-Ch Slew Rate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出电压:1.2 V to 10 V 输出电流:300 mA 输出功率: 输入电压:3 V to 17 V 开关频率:1 MHz 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
| FDG901D_Q | 功能描述:电源开关 IC - 配电 Control Driver IC P-Ch Slew Rate RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 |
| FDG910D | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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