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参数资料
| 型号： | FDG8842CZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V/-25V SC70-6 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SC70-6 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 750mA，410mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 750mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.44nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 120pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDG8842CZDKR |
Typical Characteristics (Q2 P-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
1.2
0.9
V GS = -4.5V
V GS = -3.5V
V GS = -2.7V
V GS = -2.5V
5
4
V GS = -1.5V
V GS = -2.0V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = -2.5V
3
0.6
0.3
V GS = -2.0V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
2
1
V GS = -2.7V
V GS = -3.5V
V GS = -4.5V
0.0
0
1
2
V GS = -1.5V
3
4
0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. On Region Characteristics
1.6
-I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 14. Normalized on-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
4
1.4
I D = -0.41A
V GS = -4.5V
3
I D =-0.22A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.2
2
1.0
0.8
1
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
125
150
0
1.5
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4.5
5.0
Figure 15. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
0.6
3
Figure 16. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1
V GS = 0V
0.4
V DS = -5V
T J = -55 o C
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.2
0.01
T J = -55 o C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 17. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 18. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDG8842CZ Rev.B
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG8850NZ | MOSFET DUAL N-CH 30V SC70-6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG8850NZ | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDG910D | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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