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参数资料
| 型号： | FDMA1024NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 6-MICROFET |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 54 毫欧 @ 5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 500pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA1024NZDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
6
3.0
5
V GS = 1.5 V
2.5
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
4
3
2
1
V GS = 4.5 V
V GS = 3.5 V
V GS = 2.5 V
V GS = 1.8 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
2.0
1.5
1.0
V GS = 1.5 V
V GS = 3.5 V
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
0
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1.0
0.5
1
2
3 4
I D , DRAIN CURRENT (A)
5
6
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
I D = 5 A
V GS = 4.5 V
200
160
120
80
40
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 2.5 A
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
0
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
4.5
6
5
4
3
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS = 5 V
10
1
0.1
V GS = 0 V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
2
1
T J =
125 o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.01
T J = -55 o C
0
0.0
0.5 1.0 1.5
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
2.0
1E-3
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 5. Transfer Characteristics
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA1024NZ Rev.B 4
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| FDMA1025P | 功能描述:MOSFET -20V Dual P-CH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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