- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录419 > FDMA1024NZ (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH DUAL 20V 6-MICROFET Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMA1024NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 6-MICROFET |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 54 毫欧 @ 5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 500pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA1024NZDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
5
1000
4
I D = 5 A
C iss
3
V DD = 8 V
V DD = 10 V
100
C oss
2
V DD = 12 V
1
0
0
1
2 3 4
Q g , GATE CHARGE (nC)
5
6
10
0.1
f = 1 MHz
V GS = 0 V
1
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C rss
10
20
10
Figure 7. Gate Charge Characteristics
-2
10
Figure 8 . Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
10
-3
-4
V GS = 0 V
1
100 us
1 ms
10
-5
T J = 125 o C
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
10 ms
100 ms
10
10
10
-6
-7
-8
0
3
6
9
T J = 25 o C
12
15
0.1
0.01
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 173 o C/W
T A = 25 o C
1
10
1 s
10 s
DC
60
V GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Gate Leakage Current vs Gate to Source
Voltage
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe Operating Area
R θ JA = 173 C/W
T A = 25 C
100
V GS = 4.5 V
10
SINGLE PULSE
o
o
1
10
10
10
10
10
0.3
-3
-2
-1
0
1
100
1000
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA1024NZ Rev.B 4
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMA1025P | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.1A MLP2X2 |
| FDMA1027PT | MOSFET P-CH 20V DUAL MICROFET |
| FDMA1027P | MOSFET P-CH 20V DUAL MICROFET |
| FDMA1028NZ | IC MOSFET N-CH DUAL MICROFET 2X2 |
| FDMA1029PZ | IC MOSFET P-CH DUAL MICROFET 2X2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA1025P | 功能描述:MOSFET -20V Dual P-CH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA1025P_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDMA1027P | 功能描述:MOSFET MLP 2X2 DUAL PCH POWER TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA1027P_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDMA1027P_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。