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参数资料
| 型号： | FDMA1029PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET P-CH DUAL MICROFET 2X2 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 540pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA1029PZDKR |
Typical Characteristics
6
2.6
5
V GS =
4 5V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
2.2
V GS = -2.0V
4
1.8
3
2
1.4
-2.5V
-3.0V
1
1
-3.5V
-4.0V
-4.5V
1.5V
0
0.6
0
0.4
0.8 1.2 1.6
2
0
1
2 3 4
5
6
1.5
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.2
1.4
1.3
1.2
I D = -3.1A
V GS = -4.5V
0.16
I D = -1.55A
T A = 125 C
T A = 25 C
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.12
0.08
0.04
o
o
-50
-25
0 25 50 75 100
125
150
0
2 4 6 8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
6
5
4
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V DS = -5V
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
V GS = 0V
10
1
3
0.1
T A = 125 o C
T A = 125 C
-55 C
-55 C
2
o
o
0.01
25 o C
o
1
0
25 o C
0.001
0.0001
0
0.5 1 1.5 2
2.5
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
1.6
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDMA1029PZ Rev.B3(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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