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参数资料
| 型号： | FDMA1029PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET P-CH DUAL MICROFET 2X2 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 540pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA1029PZDKR |
Typical Characteristics
10
8
6
4
2
0
I D = -3.1A
V DS = -5V
-10V
-15V
1000
800
600
400
200
0
C rss
C oss
C iss
f = 1MHz
V GS = 0 V
0
2
4
6 8 10
12
14
0
4 8 12 16
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
100
50
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
100us
40
R T JA = 173°C/W
T A = 25°C
1ms
10ms
1
10s
1s
100ms
30
DC
R T JA = 173 C/W
0.1
0.01
V GS = -4.5V
SINGLE PULSE
o
T A = 25 o C
20
10
0.1
1 10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
1
D = 0.5
R T JA (t) = r(t) * R T JA
R T JA =173 °C/W
0.2
0.1
0.1
0.05
P(pk)
t 1
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
t 2
T J - T A = P * R T JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDMA1029PZ Rev.B3(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDMA1032CZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DUAL N/P CH MOSFET 20V MICROFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DUAL N/P CH MOSFET, 20V, MICROFET |
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