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参数资料
| 型号： | FDMA3028N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL 6MICROFET |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 68 毫欧 @ 3.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 375pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | MicroFET 2x2 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
16
12
8
V GS = 4.5 V
V GS = 3.5 V
V GS = 3 V
V GS =2.5 V
2.5
2.0
1.5
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
4
V GS = 1.8 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.0
V GS = 3 V
V GS = 3.5 V
V GS = 4.5 V
0.0
0
0.5 1.0 1.5
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
2.0
0.5
0
4 8
I D , DRAIN CURRENT(A)
12
16
Figure 1. On Region Characteristics
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs . Drain Current and Gate Voltage
1.6
1.4
1.2
I D = 3.8 A
V GS = 4.5 V
200
150
100
T J = 125 o C
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 3.8 A
1.0
0.8
50
T J = 25 o C
-75
1.5
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
0
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4.5
Figure 3. Normalized On Resistance
vs . Junction Temperature
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
16
12
8
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS = 5 V
20
10
1
0.1
V GS = 0 V
T J = 150 o C
T J = 25 o C
T J = 150 o C
4
T J = 25 o C
0.01
T J = -55 o C
0.0
0
0
T J = -55 o C
1 2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
3
0.001
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 5. Transfer Characteristics
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs . Source Current
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA3028N Rev.C3
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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