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参数资料
| 型号： | FDMA3028N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL 6MICROFET |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 68 毫欧 @ 3.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 375pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | MicroFET 2x2 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
5
4
I D = 3.8 A
V DD = 10 V
500
C iss
V DD = 15 V
3
100
2
V DD = 20 V
C oss
0.1
1
10
1
0
0
1
2
Q g , GATE CHARGE (nC)
3
4
10
f = 1 MHz
V GS = 0 V
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C rss
30
Figure 7. Gate Charge Characteristics
20
100
Figure 8. Capacitance vs . Drain
to Source Voltage
10
1
100 μ s
1 ms
10
SINGLE PULSE
R θ JA = 173 o C/W
T A = 25 o C
0.5 -4
10
10
10
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
0.1 SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 173 o C/W
T A = 25 o C
0.01
0.1 1
10
10 ms
100 ms
1 s
10 s
DC
100
1
10
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 10. Single - Pulse Maximum
Power Dissipation
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
R θ JA = 173 C/W
0.1
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
o
P DM
t 1
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
0.005 -4
10
10
10
10
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 11. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA3028N Rev.C3
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDMA507PZ | MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA410NZ | 功能描述:MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA420NZ | 功能描述:MOSFET 20V 5.7A 30OHM SINGLE NCH 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA420NZ_0609 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 20V, 5.7A, 30mз |
| FDMA420NZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET 20V, 5.7A, 30mヘ |
| FDMA430NZ | 功能描述:MOSFET 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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