- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录419 > FDMC15N06 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMC15N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP |
| 产品目录绘图： | MOSFET MLP 3.3x3.3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 900 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3.3x3.3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC15N06DKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
150 C
25 C
-55 C
50
10
V GS = 20 V
15 V
10 V
8V
7V
6V
5V
50
10
o
o
o
2. T C = 25 C
1
0.1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1
5
1
2
3
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
4 5 6 7
8
150 C
25 C
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.25
0.20
0.15
V GS = 10V
0.10
V GS = 20V
0.05
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
o
o
10
*Notes:
*Note: T C = 25 C
0.00
0
10
20 30
40
o
50
1
0.0
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.5 1.0 1.5
2.0
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
800
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
10
V DS = 11V
600
C oss
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
8
V DS = 30V
V DS = 44V
*Note:
1. V GS = 0V
6
400
C iss
2. f = 1MHz
4
200
C rss
2
0
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
0
2
*Note: I D = 15A
4 6 8 10
Q g , Total Gate Charge [nC]
12
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC15N06 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC2512SDC | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN |
| FDMC2514SDC | MOSFET N-CH 25V 40A POWER33 |
| FDMC2523P | MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ |
| FDMC2610 | MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8 |
| FDMC2674 | MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC2512SDC | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel Dual Cool PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC2514SDC | 功能描述:MOSFET 25V NChan Dual Cool PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC2523P | 功能描述:MOSFET -150V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC2523P_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ヘ |
| FDMC2523P_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel QFET?? -150V, -3A, 1.5?? |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。