参数资料
型号: FDMC15N06
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP
产品目录绘图: MOSFET MLP 3.3x3.3
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 900 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V
功率 - 最大: 2.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商设备封装: 8-MLP(3.3x3.3)
包装: 标准包装
产品目录页面: 1609 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FDMC15N06DKR
I G = const .
Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V GS
Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC15N06 Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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