- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录419 > FDMC15N06 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMC15N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP |
| 产品目录绘图： | MOSFET MLP 3.3x3.3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 900 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3.3x3.3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC15N06DKR |
DUT
+
V DS
_
I SD
L
Driver
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
V DD
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
V DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC15N06 Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC2512SDC | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN |
| FDMC2514SDC | MOSFET N-CH 25V 40A POWER33 |
| FDMC2523P | MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ |
| FDMC2610 | MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8 |
| FDMC2674 | MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC2512SDC | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel Dual Cool PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC2514SDC | 功能描述:MOSFET 25V NChan Dual Cool PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC2523P | 功能描述:MOSFET -150V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC2523P_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ヘ |
| FDMC2523P_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel QFET?? -150V, -3A, 1.5?? |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。