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参数资料
| 型号： | FDT3612 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT-223 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 3.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 632pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDT3612DKR |
Typical Characteristics
20
1.8
16
V GS = 10V
5.0V
4.5V
1.6
12
4.0V
1.4
V GS = 4.0V
4.5V
8
4
1.2
1
5.0V
6.0V
10V
3.5V
0
0
2
4
6
8
0.8
0
4
8
12
16
20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
2.2
0.4
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
2
1.8
1.6
1.4
I D = 3.7A
V GS = 10V
0.3
I D = 1.9 A
1.2
1
0.8
0.6
0.2
0.1
T A = 25 o C
T A = 125 o C
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
3
4
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
20
V DS = 10V
100
V GS = 0V
10
16
12
1
T A = 125 o C
25 o C
0.1
-55 o C
8
4
T A = 125 o C
25 o C
0.01
0.001
-55 o C
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDT3612 Rev. C 2 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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