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参数资料
| 型号： | FDT3612 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT-223 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 3.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 632pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDT3612DKR |
Typical Characteristics
10
800
8
I D = 3.7A
V DS = 40V
60V
700
600
C ISS
f = 1MHz
V GS = 0 V
6
4
80V
500
400
300
2
0
200
100
0
C RSS
C OSS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
20
40
60
80
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
50
10
40
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
1
100 μ s
30
R θ JA = 110°C/W
T A = 25°C
THIS AREA IS
1 ms
10 ms
20
0.1
LIMITED BY r DS(on)
100 ms
1s
SINGLE PULSE
10 s
10
0.01
T J = MAX RATED
R θ JA = 110 o C/W
DC
0.001
0.1
T A = 25 o C
1
10
100
500
0
0.001
0.01
0.1 1
t 1 , TIME (sec)
10
100
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
0.1
0.1
R θ JA = 110°C/W
0.01
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P(pk )
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDT3612 Rev. C 2 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDT3N40TF | 功能描述:MOSFET 400V N-Chan UniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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