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参数资料
| 型号： | FGH50N3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH PT 300V 75A TO247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | PT |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 300V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.4V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 功率 - 最大： | 463W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FGH50N3_NL FGH50N3_NL-ND |
Typical Performance Curves T J = 25 ° C unless otherwise noted (Continued)
250
16
DUTY CYCLE < 0.5%, V CE = 10V
PULSE DURATION = 250 μ s
14
I G(REF) = 1mA, R L = 5 ? , T J = 25 o C
200
12
V CE = 300 V
150
10
8
100
50
0
T J = 25 o C
T J = 125 o C
T J = -55 o C
6
4
2
0
V CE = 100V
V CE = 200V
5
6
7
8
9
10
11
0
25
50
75
100
125
150
175
200
1.2
V GE , GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
Figure 13. Transfer Characteristic
40
Q G , GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge
1.0
0.8
0.6
R G = 5 ? , L = 100 μ H, V CE = 180V, V GE = 15V
E TOTAL = E ON2 + E OFF
I CE = 60A
10
T J = 125 o C, L = 100 μ H, V CE = 180V, V GE = 15V
E TOTAL = E ON2 + E OFF
I CE = 30A
1
I CE = 60A
0.4
I CE = 30A
0.2
0
I CE = 15A
0.1
I CE = 15A
25
50
75
100
125
150
1
10
100
1000
T C , CASE TEMPERATURE ( C)
o
Figure 15. Total Switching Loss vs Case
Temperature
10
FREQUENCY = 1MHz
R G , GATE RESISTANCE ( ? )
Figure 16. Total Switching Loss vs Gate
Resistance
3.5
DUTY CYCLE < 0.5%
PULSE DURATION = 250 μ s, T J = 25 o C
3.0
C IES
I CE = 60A
1.0
0.1
0.05
C OES
C RES
2.5
2.0
1.5
1.0
I CE = 30A
I CE = 15A
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
V CE , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
Figure 17. Capacitance vs Collector to Emitter
Voltage
V GE , GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
Figure 18. Collector to Emitter On-State Voltage vs
Gate to Emitter Voltage
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH50N3 Rev. C0
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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