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参数资料
| 型号： | FGH50N3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH PT 300V 75A TO247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | PT |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 300V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.4V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 功率 - 最大： | 463W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FGH50N3_NL FGH50N3_NL-ND |
Typical Performance Curves T J = 25 ° C unless otherwise noted (Continued)
10 0
0.50
0.20
0.10
P D
t 1
10 -1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
t 2
DUTY FACTOR, D = t 1 / t 2
PEAK T J = (P D X Z θ JC X R θ JC ) + T C
10 -2 -5
10
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t 1 , RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 19. IGBT Normalized Transient Thermal Impedance, Junction to Case
Test Circuit and Waveforms
FFH30US30S
DIODE 49449
90%
R G = 5 ?
L = 100 μ H
V GE
V CE
90%
E OFF
10%
E ON2
+
I CE
10%
FGH50N3
-
V DD = 180V
t d(OFF)I
t fI
t rI
t d(ON)I
Figure 20. Inductive Switching Test Circuit
Figure 21. Switching Test Waveforms
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH50N3 Rev. C0
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGH50N6S2D | IGBT N-CHAN 600V 75A TO-247 |
| FGH60N60SFDTU | IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247 |
| FGH60N60SFTU | IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247 |
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| FGH60N60UFDTU | IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGH50N3 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT N TO-247 |
| FGH50N6S2 | 功能描述:IGBT 晶体管 Sgl 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH50N6S2D | 功能描述:IGBT 晶体管 Comp 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH50N6S2D | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT N TO-247 |
| FGH50T65UPD | 功能描述:IGBT 晶体管 650 V 100 A 240 W RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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