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参数资料
| 型号： | FGP15N60UNDF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH 600V 30A TO-220-3 |
| 标准包装： | 50 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，15A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 30A |
| 功率 - 最大： | 178W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Electrical Characteristics of the IGBT
T C = 25°C unless otherwise noted
Q g
Total Gate Charge
-
43
-
nC
Q ge
Q gc
Gate to Emitter Charge
Gate to Collector Charge
V CE = 400 V, I C = 15 A,
V GE = 15 V
-
-
6
26
-
-
nC
nC
Electrical Characteristics of the Diode
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max
Unit
T C = 1 25 C
V FM
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Diode Reverse Recovery Time
Diode Reverse Recovery Charge
I F = 15 A
I F =15 A, dI F /dt = 200 A/ μ s
T C = 25 o C
T C = 1 25 o C
T C = 25 o C
T C = 1 25 o C
T C = 25 o C
o
-
-
-
-
-
-
1.6
1.5
82.4
142
213
541
2.2
-
-
-
-
V
ns
nC
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FGP15N60UNDF Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGP5N60LS | IGBT 600V 10A 83W TO220 |
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| FGPF50N33BTTU | IGBT PDP 120A 330V TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FGP-2001-0501-2-0FF | 制造商:YAMAICHI 制造商全称:Yamaichi Electronics Co., Ltd. 功能描述:PC Board Transition Header (2 Rows) |
| FGP20B | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Glass Passivated Ultrafast Rectifier |
| FGP20B_11 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Glass Passivated Ultrafast Rectifier |
| FGP20B_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Glass Passivated Ultrafast Rectifier |
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