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参数资料
| 型号： | FGP15N60UNDF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH 600V 30A TO-220-3 |
| 标准包装： | 50 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，15A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 30A |
| 功率 - 最大： | 178W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 19. Reverse Current
100
Figure 20. Stored Charge
0.7
T J = 125 C
T C = 25 C
10
o
o
0.6 T C = 125 o C
200A/ μ s
0.5
T J = 75 C
1
o
0.4
T J = 25 C
0.1
0.01
o
0.3
0.2
0.1
di F /dt = 100A/ μ s
200A/ μ s
di F /dt = 100A/ μ s
1E-3
50
200 400
600
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Reverse Voltage, V R [V]
Figure 21. Reverse Recovery Time
200
Forward Current, I F [A]
T C = 25 C
T C = 125 C
150
100
o
o
di F /dt = 100A/ μ s
200A/ μ s
di F /dt = 100A/ μ s
200A/ μ s
50
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Forward Current, I F [A]
Figure 22.Transient Thermal Impedance of IGBT
1
0.5
0.2
0.1 0.1
0.01
0.05
0.02
0.01
single pulse
P DM
t 1
t 2
Duty Factor, D = t1/t2
Peak T j = Pdm x Zthjc + T C
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FGP15N60UNDF Rev. C1
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGP5N60LS | IGBT 600V 10A 83W TO220 |
| FGPF4533 | IGBT PDP 330V TO-220-3FP |
| FGPF4536 | IGBT PDP 360V TO-220-3FP |
| FGPF4633TU | IGBT PDP 330V 300A TO-220F |
| FGPF50N33BTTU | IGBT PDP 120A 330V TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGP-1601-0501-2-0FF | 制造商:YAMAICHI 制造商全称:Yamaichi Electronics Co., Ltd. 功能描述:PC Board Transition Header (2 Rows) |
| FGP-2001-0501-2-0FF | 制造商:YAMAICHI 制造商全称:Yamaichi Electronics Co., Ltd. 功能描述:PC Board Transition Header (2 Rows) |
| FGP20B | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Glass Passivated Ultrafast Rectifier |
| FGP20B_11 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Glass Passivated Ultrafast Rectifier |
| FGP20B_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Glass Passivated Ultrafast Rectifier |
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