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参数资料
| 型号： | FGP15N60UNDF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH 600V 30A TO-220-3 |
| 标准包装： | 50 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，15A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 30A |
| 功率 - 最大： | 178W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 7. Saturation Voltage vs. V GE
Figure 8. Capacitance Characteristics
20
Common Emitter
3000
T C = 25 C
16
o
1000
C ies
C oes
12
C res
8
15A
100
T C = 25 C
4
I C = 7.5A
30A
Common Emitter
V GE = 0V, f = 1MHz
o
0
4
8 12 16
20
10
1
10
30
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
Figure 9. Gate charge Characteristics
15
200V
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 10. SOA Characteristics
100
10 μ s
12
V CC = 100V
400V
10
100 μ s
9
1
1ms
10 ms
6
Single Nonrepetitive
DC
T C = 25 C
3
Common Emitter
o
0.1
Pulse TC = 25oC
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
0
0
5
10
15 20 25 30 35
40
45
50
0.01
1
10 100
1000
Gate Charge, Q g [nC]
Figure 11. Turn-on Characteristics vs.
Gate Resistance
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 12. Turn-off Characteristics vs.
Gate Resistance
T C = 25 C
T C = 125 C
50
40
30
20
t r
Common Emitter
1000
100
Common Emitter
V CC = 400V, V GE = 15V
I C = 15A
o
o
t d(off)
T C = 25 C
10
t d(on)
V CC = 400V, V GE = 15V
I C = 15A
o
10
t f
T C = 125 C
o
5
0
10
20 30 40
50
60
0
10
20
30
40
50
60
Gate Resistance, R G [ Ω ]
Gate Resistance, R G [ Ω ]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FGP15N60UNDF Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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