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参数资料
| 型号： | FGP15N60UNDF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH 600V 30A TO-220-3 |
| 标准包装： | 50 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，15A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 30A |
| 功率 - 最大： | 178W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Output Characteristics
Figure 2. Typical Output Characteristics
T C = 25 C
T C = 125 C
80
70
o
20V
17V
15V
80
70
o
20V
17V
15V
60
60
50
V GE = 12V
50
40
30
20
10
40
30
20
10
V GE = 12V
0
0.0
1.5 3.0 4.5 6.0 7.5
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
9.0
0
0.0
1.5 3.0 4.5 6.0 7.5
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
9.0
Figure 3. Typical Saturation Voltage
Characteristics
80
Figure 4. Transfer Characteristics
80
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
70
60
50
40
30
20
10
Common Emitter
V GE = 15V
o
o
Common Emitter
70 V CE = 20V
o
60 o
T C = 125 C
50
40
30
20
10
0
0
1 2 3 4 5
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
6
0
0
3 6 9 12
Gate-Emitter Voltage,V GE [V]
15
Figure 5. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Figure 6. Saturation Voltage vs. V GE
T C = 25 C
4.5
4.0
Common Emitter
V GE = 15V
30A
20
16
Common Emitter
o
3.5
3.0
12
2.5
2.0
15A
8
15A
1.5
I C = 7.5A
4
30A
I C = 7.5A
Case Temperature, T C [ C]
1.0
25
50 75 100
o
125
0
4
8 12 16
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
20
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FGP15N60UNDF Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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