参数资料
型号: GS81302D08E-333
厂商: GSI TECHNOLOGY
元件分类: SRAM
英文描述: 16M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封装: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
文件页数: 12/34页
文件大小: 536K
代理商: GS81302D08E-333
4M x 36 SigmaQuad-II SRAM—Top View
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
CQ
NA/SA
(288Mb)
SA
W
BW2
K
BW1
R
SA
CQ
B
Q27
Q18
D18
SA
BW3
K
BW0
SA
D17
Q17
Q8
C
D27
Q28
D19
VSS
SA
NC
SA
VSS
D16
Q7
D8
D
D28
D20
Q19
VSS
Q16
D15
D7
E
Q29
D29
Q20
VDDQ
VSS
VDDQ
Q15
D6
Q6
F
Q30
Q21
D21
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
D14
Q14
Q5
G
D30
D22
Q22
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
Q13
D13
D5
H
Doff
VREF
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
VREF
ZQ
J
D31
Q31
D23
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
D12
Q4
D4
K
Q32
D32
Q23
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
Q12
D3
Q3
L
Q33
Q24
D24
VDDQ
VSS
VDDQ
D11
Q11
Q2
M
D33
Q34
D25
VSS
D10
Q1
D2
N
D34
D26
Q25
VSS
SA
VSS
Q10
D9
D1
P
Q35
D35
Q26
SA
C
SA
Q9
D0
Q0
R
TDO
TCK
SA
C
SA
TMS
TDI
11 x 15 Bump BGA—15 x 17 mm2 Body—1 mm Bump Pitch
Notes:
1. BW0 controls writes to D0:D8; BW1 controls writes to D9:D17; BW2 controls writes to D18:D26; BW3 controls writes to D27:D35.
2. A2 is the expansion address.
GS81302D08/09/18/36E-375/350/333/300/250
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 4/2011
2/34
2011, GSI Technology
相关PDF资料
PDF描述
GS81302D37GE-400I 4M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
GS81302D10E-300I 16M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
GS81302T09E-375T 16M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
GS81302T18E-350T 8M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
GS81302T10E-350I 16M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
相关代理商/技术参数
参数描述
GS81302D10E-300 制造商:GSI Technology 功能描述:GS81302D10E-300 - Trays
GS81302D10E-333 制造商:GSI Technology 功能描述:GS81302D10E-333 - Trays
GS81302D10E-333I 制造商:GSI Technology 功能描述:GS81302D10E-333I - Trays
GS81302D10E-350 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk
GS81302D10E-375 制造商:GSI Technology 功能描述:GS81302D10E-375 - Trays