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参数资料
| 型号： | GS81302D08E-333 |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 16M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封装： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件页数： | 9/34页 |
| 文件大小： | 536K |
| 代理商： | GS81302D08E-333 |
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GS81302D08/09/18/36E-375/350/333/300/250
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 4/2011
17/34
2011, GSI Technology
20% tKHKH
VSS – 1.0 V
50%
VSS
VIH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
20% tKHKH
VDD + 1.0 V
50%
VDD
VIL
Capacitance
oC, f = 1 MHZ, V
DD = 1.8 V)
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
CIN
VIN = 0 V
4
5
pF
Output Capacitance
COUT
VOUT = 0 V
6
7
pF
Clock Capacitance
CCLK
VIN = 0 V
5
6
pF
Note:
This parameter is sample tested.
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
1.25 V
Input low level
0.25 V
Max. input slew rate
2 V/ns
Input reference level
0.75 V
Output reference level
VDDQ/2
Note:
Test conditions as specified with output loading as shown unless otherwise noted.
DQ
VT = VDDQ/2
50
Ω
RQ = 250
Ω (HSTL I/O)
VREF = 0.75 V
AC Test Load Diagram
(TA = 25
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