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参数资料
| 型号： | HM66WP18513BP-65 |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA119 |
| 封装： | BGA-119 |
| 文件页数： | 5/31页 |
| 文件大小： | 268K |
| 代理商： | HM66WP18513BP-65 |
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HM66WP18513, HM66WP36257
Rev.0.3, Mar. 2002, page 13 of 31
Interleave Sequence Table
(
LBO = V
DD or VDDQ)
Parameter
Sequence 1
(A1, A0)
Sequence 2
(A1, A0)
Sequence 3
(A1, A0)
Sequence 4
(A1, A0)
External address
0 0
0 1
1 0
1 1
1st internal address
0 1
0 0
1 1
1 0
2nd internal address
1 0
1 1
0 0
0 1
3rd internal address
1 1
1 0
0 1
0 0
Note:
Each sequence wraps around to its initial state upon completion.
Linear Sequence Table
(
LBO = V
SS)
Parameter
Sequence 1
(A1, A0)
Sequence 2
(A1, A0)
Sequence 3
(A1, A0)
Sequence 4
(A1, A0)
External address
0 0
0 1
1 0
1 1
1st internal address
0 1
1 0
1 1
0 0
2nd internal address
1 0
1 1
0 0
0 1
3rd internal address
1 1
0 0
0 1
1 0
Note:
Each sequence wraps around to its initial state upon completion.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Supply voltage
V
DD
–0.5 to +4.6
V
Voltage on any pins relative to V
SS
(DQ)
V
T
–0.5 to V
DDQ + 0.5
V
Except V
DD
(Others)
V
T
–0.5 to V
DD + 0.5
V
Power dissipation
P
T
1.6
W
Operating temperature
Topr
0 to +70
°C
Storage temperature range (with bias)
Tstg (bias)
–10 to +85
°C
Storage temperature range
Tstg
–55 to +125
°C
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PDF描述 |
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