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参数资料
| 型号： | HM66WP18513BP-65 |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA119 |
| 封装： | BGA-119 |
| 文件页数： | 7/31页 |
| 文件大小： | 268K |
| 代理商： | HM66WP18513BP-65 |
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HM66WP18513, HM66WP36257
Rev.0.3, Mar. 2002, page 15 of 31
DC Characteristics
(Ta = 0 to +70°C, V
DD = 3.3 V +5%/–5% or 2.5 V +5%/–5%
)
HM66WP18513/HM66WP36257
-65
-75
-85
Parameter
Symbol Min
Max Min
Max Unit Test conditions
Input leakage current I
LI
–22
–2
2
A
All inputs Vin = V
SS to VDD
Output leakage
current
I
LO
–55
A
OE = V
IH, Vout = VSS to VDDQ
Operating current
I
DD
—
200
—
180
—
160
mA Device selected, Iout = 0 mA,
all inputs = V
IH or VIL,
cycle time = t
CYC min.
Standby current
I
SB
—
80
—
70
—
60
mA Device deselected
all inputs = fixed and
all inputs
≥ V
DD – 0.2 V or
≤ 0.2 V, cycle time = t
CYC min.
I
SB1
—
30
—
30
—
30
mA Device deselected
all inputs = fixed and
all inputs
≥ V
DD – 0.2 V or
≤ 0.2 V, Frequency = 0 MHz.
I
SBZZ
10
10
10
mA Device deselected
all inputs = fixed and all inputs
≥ V
DD – 0.2 V or ≤ 0.2 V,
ZZ
≥ V
DD – 0.2 V,
Frequency = 0 MHz.
Output low voltage
(3.3 V I/O)
V
OL
—
0.4
—
0.4
—
0.4
V
I
OL = 8 mA
Output high voltage
(3.3 V I/O)
V
OH
2.4
—
2.4
—
2.4
—
VI
OH = –4 mA
Output low voltage
(2.5 V I/O)
V
OL
—
0.4
—
0.4
—
0.4
V
I
OL = 1 mA
Output high voltage
(2.5 V I/O)
V
OH
2.0
—
2.0
—
2.0
—
VI
OH = –1 mA
Note:
1.
LBO pin has an internal pull-up, ZZ pin has an internal pull-down, and input leakage current <
|5
A|.
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PDF描述 |
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