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参数资料
| 型号： | HY5DU56422ALF-J |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 4 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| 封装： | FBGA-60 |
| 文件页数： | 3/36页 |
| 文件大小： | 395K |
| 代理商： | HY5DU56422ALF-J |
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Rev. 0.1/Apr. 02
11
HY5DU56422A(L)F
HY5DU56822A(L)F
HY5DU561622A(L)F
OPERATION COMMAND TRUTH TABLE-I
Current
State
/CS
/RAS
/CAS
/WE
Address
Command
Action
IDLE
HXX
X
DSEL
NOP or power down3
LH
H
X
NOP
NOP or power down3
LH
H
L
X
BST
ILLEGAL4
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READAP
ILLEGAL4
L
H
L
BA, CA, AP
WRITE/WRITEAP
ILLEGAL4
L
H
BA, RA
ACT
Row Activation
LL
H
L
BA, AP
PRE/PALL
NOP
LL
L
H
X
AREF/SREF
Auto Refresh or Self Refresh5
L
OPCODE
MRS
Mode Register Set
ROW
ACTIVE
HXX
X
DSEL
NOP
LH
H
X
NOP
LH
H
L
X
BST
ILLEGAL4
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READAP
Begin read : optional AP6
L
H
L
BA, CA, AP
WRITE/WRITEAP
Begin write : optional AP6
LL
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL4
LL
H
L
BA, AP
PRE/PALL
Precharge7
LL
L
H
X
AREF/SREF
ILLEGAL11
LL
L
OPCODE
MRS
ILLEGAL11
READ
H
X
DSEL
Continue burst to end
L
H
X
NOP
Continue burst to end
LH
H
L
X
BST
Terminate burst
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READAP
Term burst, new read:optional AP8
L
H
L
BA, CA, AP
WRITE/WRITEAP
ILLEGAL
LL
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL4
L
H
L
BA, AP
PRE/PALL
Term burst, precharge
LL
L
H
X
AREF/SREF
ILLEGAL11
LL
L
OPCODE
MRS
ILLEGAL11
WRITE
H
X
DSEL
Continue burst to end
L
H
X
NOP
Continue burst to end
LH
H
L
X
BST
ILLEGAL4
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READAP
Term burst, new read:optional AP8
L
H
L
BA, CA, AP
WRITE/WRITEAP
Term burst, new write:optional AP
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