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参数资料
| 型号： | IDT70T631S |
| 厂商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | 122 x 32 pixel format, Compact LCD size |
| 中文描述： | 高速2.5V的512/256K与3.3V 5011 2.5V的接口× 18 ASYNCHRONO美国双端口静态RAM |
| 文件页数： | 15/27页 |
| 文件大小： | 342K |
| 代理商： | IDT70T631S |
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15
IDT70T633/1S
High-Speed 2.5V 512/256K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics over the Operating Temperature Range
and Supply Voltage Range for RapidWrite Mode Write Cycle
(1)
Symbol
Parameter
Preliminary
5670 drw 09
A
0
A
18
t
AAS
t
ARF
t
ARF
(1)
Timing Waveform of Address Inputs for RapidWrite Mode Write Cycle
NOTE:
1. Timing applies to all speed grades when utilizing the RapidWrite Mode Write Cycle.
NOTE:
1. A
17
for IDT70T631.
Min
Max
Unit
t
AAS
Allowable Address Skew for RapidWrite Mode
____
1
ns
t
ARF
Address Rise/Fall Time for RapidWrite Mode
1.5
____
V/ns
5670 tbl 14
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PDF描述 |
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