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参数资料
型号： IDT70T631S
厂商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： 122 x 32 pixel format, Compact LCD size
中文描述： 高速2.5V的512/256K与3.3V 5011 2.5V的接口× 18 ASYNCHRONO美国双端口静态RAM
文件页数： 9/27页
文件大小： 342K
代理商： IDT70T631S
9
IDT70T633/1S
High-Speed 2.5V 512/256K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range
(V
DD
= 2.5V ± 100mV)
Preliminary
Symbol
Parameter
Test Conditions
70T633/1S
Unit
Min.
Max.
|I
LI
|
Input Leakage Current
(1)
V
DDQ
= Max., V
IN
= 0V to V
DDQ
___
10
μA
|I
LI
|
JTAG & ZZ Input Leakage Current
(1,2)
V
DD =
Max.
,
V
IN
= 0V to V
DD
___
+30
μA
|I
LO
|
Output Leakage Current
(1,3)
CE
0
= V
IH
or CE
1
= V
IL
, V
OUT
= 0V to V
DDQ
___
10
μA
V
OL
(3.3V)
Output Low Voltage
(1)
I
OL
= +4mA, V
DDQ
= Min.
___
0.4
V
V
OH
(3.3V)
Output High Voltage
(1)
I
OH
= -4mA, V
DDQ
= Min.
2.4
___
V
V
OL
(2.5V)
Output Low Voltage
(1)
I
OL
= +2mA, V
DDQ
= Min.
___
0.4
V
V
OH
(2.5V)
Output High Voltage
(1)
I
OH
= -2mA, V
DDQ
= Min.
2.0
___
V
5670 tbl 09
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range
(V
DD
= 2.5V ± 100mV)
NOTES:
1. At f = f
MAX
, address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/t
RC
, using "AC TEST CONDITIONS".
2. f = 0 means no address or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. V
DD
= 2.5V, T
A
= 25°C for Typ. values, and are not production tested. I
DD DC
(f=0)
= 100mA (Typ).
4.
CE
X
= V
IL
means
CE
0X
= V
IL
and CE
1X
= V
IH
CE
X
= V
IH
means
CE
0X
= V
IH
or CE
1X
= V
IL
CE
X
< 0.2V means
CE
0X
< 0.2V and CE
1X
> V
DDQX
- 0.2V
CE
X
> V
DDQX
- 0.2V means
CE
0X
> V
DDQX
- 0.2V or CE
1X
- 0.2V
"X" represents "L" for left port or "R" for right port.
5. I
SB
1
, I
SB
2
and I
SB
4
will all reach full standby levels (I
SB
3
) on the appropriate port(s) if ZZ
L
and /or ZZ
R
= V
IH
.
6.
8ns Commercial and 10ns Industrial speed grades are available in BF-208 and BC-256 packages only.
70T633/1S8
(6)
Com'l Only
70T633/1S10
Com'l
& Ind
(6)
70T633/1S12
Com'l
& Ind
70T633/1S15
Com'l Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
(4)
Max.
Typ.
(4)
Max.
Typ.
(4)
Max.
Typ.
(4)
Max.
Unit
I
DD
Dynamic Operating
Current (Both
Ports Active)
CE
L
and
CE
R
= V
IL
,
Outputs Disabled
f = f
MAX
COM'L
S
350
475
300
405
300
355
225
305
mA
IND
S
____
____
300
445
300
395
____
____
I
SB1
(6)
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
f = f
MAX
(1)
COM'L
S
115
140
90
120
75
105
60
85
mA
IND
S
____
____
90
145
75
130
____
____
I
SB2
(6)
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
CE
"A"
= V
IL
and
CE
"B"
= V
IH
(5)
Active Port Outputs Disabled,
f = f
MAX
(1)
COM'L
S
240
315
200
265
180
230
150
200
mA
IND
S
____
____
200
290
180
255
____
____
I
SB3
Full Standby Current
(Both Ports - CMOS
Level Inputs)
Both Ports
CE
L
and
CE
R
> V
DD
- 0.2V, V
IN
> V
DD
- 0.2V
or V
IN
< 0.2V, f = 0
(2)
COM'L
S
2
10
2
10
2
10
2
10
mA
IND
S
____
____
2
20
2
20
____
____
I
SB4
(6)
Full Standby Current
(One Port - CMOS
Level Inputs)
CE
"A"
< 0.2V and
CE
"B"
> V
DD
- 0.2V
(5)
V
IN
> V
DD
- 0.2V or V
IN
< 0.2V, Active
Port, Outputs Disabled, f = f
MAX
COM'L
S
240
315
200
265
180
230
150
200
mA
IND
S
____
____
200
290
180
255
____
____
I
ZZ
Sleep Mode Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
ZZ
L =
ZZ
R =
V
IH
f = f
MAX
(1)
COM'L
S
2
10
2
10
2
10
2
10
mA
IND
S
____
____
2
20
2
20
____
____
5670 tbl 10
NOTES:
1.
2.
3.
V
DDQ
is selectable (3.3V/2.5V) via OPT pins. Refer to page 6 for details.
Applicable only for TMS, TDI and
TRST
inputs.
Outputs tested in tri-state mode.
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PDF描述
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IDT70T9169L7BF1 HIGH-SPEED 2.5V 16/8K X 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70T9169L7PF HIGH-SPEED 2.5V 16/8K X 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
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参数描述
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IDT70T631S10BC8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T631S10BCI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T631S10BCI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T631S10BF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
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