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参数资料
| 型号： | IDT70T631S |
| 厂商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | 122 x 32 pixel format, Compact LCD size |
| 中文描述： | 高速2.5V的512/256K与3.3V 5011 2.5V的接口× 18 ASYNCHRONO美国双端口静态RAM |
| 文件页数： | 2/27页 |
| 文件大小： | 342K |
| 代理商： | IDT70T631S |
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IDT70T633/1S
High-Speed 2.5V 512/256K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Description
The IDT70T633/1 is a high-speed 512/256K x 18 Asynchronous
Dual-Port Static RAM. The IDT70T633/1 is designed to be used as a
stand-alone 9216/4608K-bit Dual-Port RAM or as a combination MAS-
TER/SLAVE Dual-Port RAM for 36-bit-or-more word system. Using the
IDT MASTER/SLAVE Dual-Port RAM approach in 36-bit or wider
memory system applications results in full-speed, error-free operation
without the need for additional discrete logic.
This device provides two independent ports with separate control,
address, and I/O pins that permit independent, asynchronous access for
reads or writes to any location in memory. An automatic power down
Preliminary
2
feature controlled by the chip enables (either
CE
0
or CE
1
) permit the
on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode.
The IDT70T651/9 has a RapidWrite Mode which allows the designer
to perform back-to-back write operations without pulsing the R/
W
input
each cycle. This is especially significant at the 8 and 10ns cycle times of
the IDT70T651/9, easing design considerations at these high perfor-
mance levels.
The 70T633/1 can support an operating voltage of either 3.3V or 2.5V
on one or both ports, controlled by the OPT pins. The power supply for
the core of the device (V
DD
) remains at 2.5V.
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| IDT70T631S10BCI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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