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参数资料
| 型号： | IDT72V36110L6BBG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 21/48页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FIFO SYNC 131KX36 6NS 144BGA |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | 72V |
| 功能： | 同步 |
| 存储容量： | 4.7M（131K x 36） |
| 数据速率： | 166MHz |
| 访问时间： | 4ns |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 144-BGA |
| 供应商设备封装： | 144-PBGA（13x13） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 72V36110L6BBG |
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28
COMMERCIAL AND INDUSTRIAL
TEMPERATURE RANGES
IDT72V36100/72V36110 3.3V HIGH DENSITY SUPERSYNC IITM 36-BIT FIFO
65,536 x 36 and 131,072 x 36
OCTOBER 22, 2008
Figure 8. Read Cycle, Empty Flag and First Data Word Latency Timing (IDT Standard Mode)
NOTES:
1. tSKEW1 is the minimum time between a rising WCLK edge and a rising RCLK edge to guarantee that
EF will go HIGH (after one RCLK cycle plus tREF). If the time between the rising edge
of WCLK and the rising edge of RCLK is less than tSKEW1, then
EF deassertion may be delayed one extra RCLK cycle.
2.
LD = HIGH.
3. First data word latency = tSKEW1 + 1*TRCLK + tREF.
NOTES:
1. tSKEW1 is the minimum time between a rising RCLK edge and a rising WCLK edge to guarantee that
FF will go HIGH (after one WCLK cycle pus tWFF). If the time between
the rising edge of the RCLK and the rising edge of the WCLK is less than tSKEW1, then the
FF deassertion may be delayed one extra WCLK cycle.
2.
LD = HIGH, OE = LOW, EF = HIGH
Figure 7. Write Cycle and Full Flag Timing (IDT Standard Mode)
NO OPERATION
RCLK
REN
6117 drw13
EF
tCLK
tCLKH
tCLKL
tENH
tREF
tA
tOLZ
tOE
Q0 - Qn
OE
WCLK
(1)
tSKEW1
WEN
D0 - Dn
tENS
tENH
tDS
tDH
D0
1
2
tOLZ
NO OPERATION
LAST WORD
D0
D1
tENS
tENH
tDS
tDH
tOHZ
LAST WORD
tREF
tENH
tENS
tA
tREF
tENS
tENH
D0 - Dn
WEN
RCLK
REN
tENH
Q0 - Qn
DATA READ
NEXT DATA READ
DATA IN OUTPUT REGISTER
tSKEW1
(1)
6117 drw12
WCLK
NO WRITE
1
2
1
2
tDS
NO WRITE
tWFF
tA
tENS
tSKEW1
(1)
tDS
tA
D X
tDH
tCLK
tCLKH
tCLKL
DX+1
tWFF
tDH
FF
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