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参数资料
| 型号： | IRF530 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 100V，14A TMOS Power Field Effect Transistor （N-Channel Enhancement Mode Silicon Gate）(100V，14A TMOS功率场效应管（N沟道增强型硅门）) |
| 中文描述： | 14 A, 100 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | CASE 221A-09, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | IRF530 |
IRF530
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
DS(on)
,DRAIN–T
O–SOURCE
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
R
DS(on)
,DRAIN–T
O–SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
R
DS(on)
,DRAIN–T
O–SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
0
246
8
10
0
15
25
30
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On–Region Characteristics
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0
5
10
20
0.00
0.02
0.06
0.10
0.14
0
5
20
30
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
and Temperature
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
–50
0
0.4
1.2
2.0
20
40
60
80
90
100
1
10
100
1000
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain–To–Source Leakage
Current versus Voltage
I DSS
,LEAKAGE
(nA)
–25
0
25
50
75
100
125
150
TJ = 25°C
VDS ≥ 10 V
TJ = –55°C
25
°C
100
°C
TJ = 100°C
25
°C
–55
°C
TJ = 25°C
VGS = 10 V
10
20
13
57
9
5
9 V
5 V
6 V
7 V
8 V
VGS = 10 V
0
15
25
30
10
20
5
2
3
4
5
6
789
0.12
0.08
0.04
15
25
30
0.13
0.11
0.09
0.07
10
15
25
0.8
1.6
30
50
70
VGS = 10 V
15 V
VGS = 10 V
ID = 8 A
0.2
0.6
1.4
1.0
1.8
10
0
VGS = 0 V
TJ = 125°C
100
°C
0.16
0.18
0.20
2.5
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
2.5
7.5
12.5
22.5
17.5
27.5
2.5
7.5
22.5
12.5
17.5
27.5
110
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