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参数资料
| 型号： | IRF530 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 100V，14A TMOS Power Field Effect Transistor （N-Channel Enhancement Mode Silicon Gate）(100V，14A TMOS功率场效应管（N沟道增强型硅门）) |
| 中文描述： | 14 A, 100 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | CASE 221A-09, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | IRF530 |
IRF530
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (°C)
E AS
,SINGLE
PULSE
DRAIN–T
O–SOURCE
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
0.1
1.0
100
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
10
A
V
ALANCHE
ENERGY
(mJ)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0
25
50
75
100
125
40
20
ID = 14 A
100
1.0
10
150
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
r(t)
,NORMALIZED
EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
R
θJC(t) = r(t) RθJC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25°C
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
D = 0.5
90
80
60
100
0.1
1.0
0.01
100
s
1ms
10 ms
dc
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1000
10
s
30
10
70
50
110
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