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参数资料
| 型号： | IRF6609 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET |
| 中文描述： | 功率MOSFET |
| 文件页数： | 10/10页 |
| 文件大小： | 230K |
| 代理商： | IRF6609 |
IRF6609
www.irf.com
9
DirectFET
Substrate and PCB Layout, MT Outline
(Medium Size Can, T-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
DirectFET
Tape & Reel Dimension
(Showing component orientation).
METRIC
MIN
330.0
20.2
12.8
1.5
100.0
N.C
12.4
11.9
CODE
A
B
C
D
E
F
G
H
MAX
N.C
0.520
N.C
0.724
0.567
0.606
MIN
12.992
0.795
0.504
0.059
3.937
N.C
0.488
0.469
MAX
N.C
13.2
N.C
18.4
14.4
15.4
IMPERIAL
STANDARD OPTION (QTY 4800)
NOTE: Controlling dimensions in mm
Std reel quantity is 4800 parts. (ordered as IRF6618). For 1000 parts on 7" reel,
order IRF6618TR1
METRIC
IMPERIAL
TR1 OPTION (QTY 1000)
MIN
177.77
19.06
13.5
1.5
58.72
N.C
11.9
MAX
N.C
12.8
N.C
13.50
12.01
MIN
6.9
0.75
0.53
0.059
2.31
N.C
0.47
MAX
N.C
0.50
N.C
0.53
N.C
REEL DIMENSIONS
3
4
5
6
7
1
2
1- Drain
2- Drain
3- Source
4- Source
5- Gate
6- Drain
7- Drain
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6610TRPBF | 15 A, 20 V, 0.0068 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF720 | TRI CON SKT 20-22 GLD ST/LO |
| IRF7307 | Power MOSFET |
| IRF730AS | 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF7450 | SMPS MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6609TR1 | 功能描述:MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6609TR1PBF | 功能描述:MOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6609TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET, 20V, 25A, DIRECTFET MT |
| IRF6609TRPBF | 功能描述:MOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6610 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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