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参数资料
型号： IRF6609
厂商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 功率MOSFET
文件页数： 5/10页
文件大小： 230K
代理商： IRF6609
IRF6609
4
www.irf.com
Fig 6. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
100000
C
,C
ap
ac
ita
nc
e
(p
F
)
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V,
f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, C ds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
20
40
60
80
100
120
QG Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
V
G
S
,G
at
e-
to
-S
ou
rc
e
V
ol
ta
ge
(V
)
VDS= 20V
VDS= 10V
ID= 17A
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
I S
D
,R
ev
er
se
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VGS = 0V
0
1
10
100
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
I D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100sec
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