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参数资料
| 型号： | IRF6609 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET |
| 中文描述： | 功率MOSFET |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 230K |
| 代理商： | IRF6609 |
IRF6609
6
www.irf.com
Fig 13c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 14a. Switching Time Test Circuit
Fig 14b. Switching Time Waveforms
V
GS
V
DS
90%
10%
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
V
GS
Pulse Width < 1s
Duty Factor < 0.1%
V
DD
V
DS
L
D
D.U.T
+
-
Fig 13b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 13a. Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V(BR)DSS
IAS
RG
IAS
0.01
tp
D.U.T
L
VDS
+
- VDD
DRIVER
A
15V
20V
VGS
Fig 12. On-Resistance Vs. Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
200
400
600
800
1000
E
A
S
,S
in
gl
e
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y
(m
J)
ID
TOP
11A
14A
BOTTOM
25A
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0
2
4
6
8
10
R
D
S
(o
n)
,
D
ra
in
-t
o
-S
ou
rc
e
O
n
R
es
is
ta
nc
e
(m
)
TJ = 25°C
TJ = 125°C
ID = 31A
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PDF描述 |
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